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三相组串式光伏逆变器
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目前组串式光伏逆变器以其发电高效、安全可靠、管理智能、安装方便和经济性好等优势在光伏逆变市场占据一席之地。在组串式光伏逆变器的解决方案中，安森美半导体有多种器件可供选择，其中包括 SiC DIODE、SiC MOSFET、IGBT及驱动光耦等。
 
应用框图
 
优势
SiC 二极管
• 高浪涌电流容量
• 高热导率
• 0 反向恢复时间
• 并联使用容易实现

 

SiC MOSFET
• 高系统转换效率
• 高系统功率密度
• 高开关速度
• 低的系统散热要求

 

IGBT
• 低饱和电压 Vce（sat）
• Vce（sat）=1.6V@Ic=75A
• 支持 40kHZ 的开关频率
• 参数分布集中，并联使用容易实现

 

驱动光耦
• 15V~30V 的宽供电电压范围
• 35kV/μs 的共模干扰免疫力
• 转换速度快，400ns(max)  传输延迟
• 1414V Peak 工作隔离电压
 
主要器件
产品型号 描述 厂商 资料 购买
FFSH10120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
FFSH15120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
FFSH20120ADN-F155 碳化硅肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
NTHL080N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET ON Semiconductor 立即购买
FGH75T65SQDTL4 650V,75A,IGBT场截止沟槽 ON Semiconductor 立即购买
FGH75T65SQD-F155 650V,75A,场截止沟道IGBT ON Semiconductor 立即购买
FGH75T65SQDT-F155 650V,75A,场截止沟槽IGBT ON Semiconductor 立即购买
FOD3120SD 栅极驱动光电耦合器 ON Semiconductor 立即购买
FOD3184V 高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器 ON Semiconductor 立即购买
FOD3184SDV 高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器 ON Semiconductor 立即购买
 
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