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意法半导体 (ST) 的 MOSFET 产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围 (-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高、低压 MOSFET 的制程增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。
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击穿电压范围：-500 ~ 1500 V |
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提供 30 多种封装选项，包括带有专用控制引脚、能够提高开关效率的新型 4 引脚 TO247-4 封装 和1-mm 表贴封装 PowerFLAT™ 8x8 HV、PowerFLAT 5x6 HV 及 |
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VHV 封装。这些表贴封装带有大片裸露金属作为漏极，使得其具有优异散热能力。 |
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改善了栅电荷，降低了功耗，满足了当今极具挑战性的效率要求 |
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面向所选产品线的本征快速体二极管 |
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| 在各个支持负载点、电信 DC-DC 转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的 MOSFET。 |
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| 高压 N 沟道 MOSFET |
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| 通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为 450 ~ 650 V 的 MOSFET，采用 Max247 封装的产品的导通电阻低至 17 mΩ (650 V)。这些 MOSFET 设计 |
| 用于满足 SMPS、UPS、LED 照明、PV 逆变器、电机控制、焊接和汽车应用的各种要求。 |
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在该额定电压下，MOSFET 具有如下特性：
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面向所选产品线的本征快速回复二极管 |
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由于具有出色的开关特性，所以易于驱动 |
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广泛的封装选项，包括面向小型设计的 SMD PowerFLAT 封装 |
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栅极-源极齐纳保护 |
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| 这些 MOSFET 提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO247-4、 |
| TO-3PF、TO-92 和 PowerFLAT HV(3.3x3.3、5x5、5x6 和 8x8 )。 |
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| 产品型号 |
描述 |
封装 |
购买 |
| TIP127 |
-100V, -5A, PNP 达林顿晶体管 |
TO-220-3 |
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| TIP42C |
-100V, -6A, PNP 晶体管 |
TO-220-3 |
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| STP40NF03L |
30V, 0.02Ω, 40A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220AB-3 |
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| STP65NF06 |
60V, 0.0115Ω, 60A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220AB-3 |
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| STP100N8F6 |
80V, 0.008Ω, 100A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220AB-3 |
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| STP30NF10 |
100V, 0.038Ω, 35A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220AB-3 |
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| STN2NF10 |
100V, 0.23Ω, 2.4A, N 沟道功率 MOSFET |
SOT-223-4 |
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| STD20NF20 |
200V, 0.10Ω, 18A, N 沟道功率 MOSFET |
DPAK-3 |
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| STP9NK50ZFP |
500V, 0.72Ω, 7.2A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220FP-3 |
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| STD4NK60ZT4 |
600V, 1.76Ω, 4A, N 沟道功率 MOSFET |
DPAK-3 |
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| STP3NK80Z |
800V, 3.8Ω, 2.5A, N 沟道功率 MOSFET |
TO-220AB-3 |
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| 注明：部分型号属于香港库存，请联系销售人员或拨打 400-800-8051 购买。 |
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| 编号说明 |
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