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分散架构的大容量 SRAM |
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新的外围设置 |
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32OKB 存储容量包括 |
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支持双时钟：支持在没有改变外围速度的条件下，允许改变系统时钟 |
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- 总线矩阵上的 240KB + 16KB |
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两个串行音频输出 SAI 接口：支持 SPDIF 输出 |
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- 数据 TCM RAM 的 64KB |
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三个半双工 I2S 接口和 SPDIF 输入：支持多个音频通道的输入和输出 |
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指令 TCM RAM 的 16KB |
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专用电源供电的两个 USB OTG：即使 MCU 供电为 1.8V，也可以使能 USB 通信 |
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备份 SAM 的 4KB |
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双四路 SPI 接口：只需要 1、4 或 8 数据引脚，就可以连接低成本的储存器 |
| 主 RAM 支持大容量的数据缓冲和多个软件栈。数据 TCM 和指令 TCM 的 RAM，支持临 |
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广泛的封装 |
| 界实时的数据 / 程序。备份 SRAM 支持低功耗模式下的数据保护。 |
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WLCSP143 (< 5.9×4.6 mm) |
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电源效率 |
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UFBGA176 (10×10×0.6) Pitch 0.5mm, TFBGA216 (13×13×1.2) Pitch 0.8 mm |
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高达 7CoreMark / MW，供电电压 1.8V，主频 180MHz |
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LQFP100 (14×14×1.4)、LQFP144 (20×20×1.4)、LQFP176 (24×24×1.4)、 |
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在 STOP 模式，所有 SRAM 数据保存的条件下，典型电流 120μA |
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LQFP208 (28×28×1.4) |
| 为功耗受限的产品开发提供了空间，以实现更多的创新型设计 |
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