中国，2015年7月23日 ——意法半导体 (STMicroelectronics，简称 ST；纽约证券交易所代码：STM) 推出新款 M 系列 650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统 (HVAC) 电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关 (hard-switching) 电路拓扑 20kHz 功率转换应用。

采 用意法半导体的第三代沟栅式场截止型 (trench-gate field-stop) 低损耗制造工艺，M 系列 IGBT有一个全新沟栅 (trench gate) 和特殊设计的 P-N-P 垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在 150°C 初始高结温时，最小短路耐受时间为 6µs，175°C 最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。

此外，新产 品的封装还集成了新一代续流二极管 (Free-wheeling Diode)。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的 EMI 保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正 VCE(sat) 温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。

M 系列产品的主要特性：
• 650V IGBT，大部分竞争产品为 600V；
• 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 电压，能够最大限度降低导通损耗；
• 出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象 (latch-free operation)；
• 业内最佳的 Etot - Vce (sat) 平衡比；
• 175°C 最大工作结温；
• 高温短路耐受时间最短 6µs；
• 电压过冲有限，确保关断期间无振荡；

最 新发布的 M 系列拥有 10A 及 30A 两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括 TO-220、D2PAK 和 TO-247 LL 长脚封装，与意法半导体针对高频工业应用研发的 HB 系列 650V IGBT (高达60 kHz) 相互补充。新产品已开始量产。欲了解更多详情，请访问 www.st.com/igbt