中国，2015年8月4日 ——意法半导体 (STMicroelectronics，简称 ST；纽约证券交易所代码：STM) 的 BiCMOS55SiGe 先进技术被欧洲 E3NETWORK 项目组采用，用于开发适合下一代移动网络的高效率、高容量数据传输系统。

移动数据使用量的迅猛增长，要求网络系统支持更大的容量和更高的数据传输速率。而如何加快移动网络向先进网络架构转型的速度，对移动回程线路 (backhaul) 基础设施是一个新的挑战，例如异构网络 (Heterogeneous Network) 与云端无线接入网络 (RAN, Radio Access Network)，其中更高频段 (例如 E-band ) 可提供更大带宽，以支持更快的数据传输通道。

建设这些超高效率的移动网络，设备厂商需要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模集成电路电子元器件。E3NETWORK 项目利用意法半导体的高集成度、低功耗 BiCMOS55Si 制造工艺，开发出 55纳米的 Ft 高达 320GHz 的异质双极晶体管 (HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模拟模块与高性能、高容量的数字模块，例如逻辑电路、AD/DA 转换器和存储器。

E3NETWORK 项目采用意法半导体的 BiCMOS55 制造，目前正在研发一个集成化的 E-band 收发器，用于去程线路 (Fronthaul) 和回程线路基础设施，以实现数字多层调制，及高度聚焦的笔形波束(Pencil-beam) 传输，数据速率可高达 10Gbps。笔形波束的属性有助于提高回程线路和去程线路频率再用率，同时在毫米波 (millimeter-wave) 间隔期间保护频谱利用率 (Spectrum efficiency) 不受影响。

作为欧盟第 7 框架计划中的一个项目，E3NETWORK (Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks) 汇集了众多企业，其中包括 CEIT (西班牙)、Fraunhofer (德国)、阿尔卡特朗讯 (意大利)、CEA (法国)、INXYS (西班牙)、OTE (希腊)、SiR (德国)、Sivers IMA (瑞典) 和意法半导体 (意大利)。