中国，2015年9月14日 —— 市场人气颇高的意法半导体 (STMicroelectronics，简称 ST；纽约证券交易所代码：STM) MDmesh™ M2 系列的 N-沟道功率 MOSFETs 再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。

新款 600V MDmesh M2 EP 产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局 (strip layout) 和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺 (diffusion process)，拥有接近理想的开关设计，包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗，是特别为甚高频功率转换器 (f>150 kHz) 专门设计，为要求最严格的电源供应器 (PSU, Power Supply Unit) 的理想选择。

硬开关和软开关电路拓扑均适用， 包括谐振拓扑 (resonant topologies) ，例如 LLC 谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除 MDmesh M2 产品的共性栅电荷量(Qg) 极低外，M2 EP 产品的关断能量 (Eoff) 还可降低 20%，而在硬开关转换器中，关断开关损耗同样降低 20%。在低电流范围内降低 Eoff 损耗，有助于提高低负载能效，进而帮助电源厂商顺利达到日益严格的能效认证要求。

改进后的关断波形 (turn-off waveforms) 可提高谐振转换器的能效，降低噪声，每周期回收再利用更多的电能，而不是以散热的形式浪费掉。

新款 MDmesh M2 EP 系列的主要特性包括：

• 极低的 Qg (低至16 nC)
• 针对轻负载条件优化电容曲线 (capacitance profile)
• 针对软件开关优化 Vth 和 Rg 参数
• 稳健的本体二极管 (body diode)

MDmesh M2 EP 系列瞄准需要高能效的电源应用，提供多种封装选择 (PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247)，所有产品均已量产。

欲了解更多详情，请访问：www.st.com/mdmeshm2