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SS05N70
单位（片）
价格（含13%增值税）
暂无
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：700
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1400
最大漏极电流Id(on)(A)：3.2
通道极性：N沟道
封装：TO-251-3/-55~150
描述：700V,3.2A,N沟道高电压功率MOSFET
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