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ATP304-TL-H
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
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25+
CNY 40.84
50+
CNY 35.98
100+
CNY 32.15
250+
CNY 29.06
500+
CNY 26.51
1000+
CNY 24.37
厂商： onsemi
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：6.5
最大漏极电流Id(on)(A)：-100
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：IPAK-5/-55~150
描述：-60V,-100A,6.5mΩ,单P沟道功率MOSFET
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