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IPW60R070P6
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 39.99
25+
CNY 38.23
50+
CNY 37.14
100+
CNY 36.10
250+
CNY 34.66
500+
CNY 33.33
1000+
CNY 32.49
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×39.99 = 39.99
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):70
最大漏极电流Id(on)(A):53.5
通道极性:N沟道
封装:PG-TO247-3/-55~150
描述:600V,70mΩ,53.5A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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