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BSZ097N10NS5
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 8.20
25+
CNY 7.45
50+
CNY 7.07
100+
CNY 6.83
250+
CNY 6.31
500+
CNY 6.03
1000+
CNY 5.86
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×8.20 = 8.20
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.7
最大漏极电流Id(on)(A):40
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):PG-TSDSON-8/-55~150
描述:100V,9.7mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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