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IRFP064NPBF
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 12.82
25+
CNY 11.66
50+
CNY 11.05
100+
CNY 10.68
250+
CNY 9.86
500+
CNY 9.43
1000+
CNY 9.16
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×12.82 = 12.82
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):55
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-247AC-3/-55~175
描述:55V,8mΩ,110A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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