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IRF5210STRLPBF
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 11.40
25+
CNY 10.36
50+
CNY 9.83
100+
CNY 9.50
250+
CNY 8.77
500+
CNY 8.38
1000+
CNY 8.14
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×11.40 = 11.40
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):-100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):-38
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150
描述:-100V,60mΩ,-38A,P沟道功率MOSFET
温馨提示

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