0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  ON,功率MOSFET  »  EFC2J013NUZTDG
 
EFC2J013NUZTDG
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 4.09
25+
CNY 3.31
50+
CNY 2.92
100+
CNY 2.61
250+
CNY 2.36
500+
CNY 2.15
1000+
CNY 1.98
厂商: onsemi
库存件数: 5887
货期: 现货
数量: 
-
  ×4.09 = 4.09
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.8
最大漏极电流Id(on)(A):17
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):WLCSP-6/-55~150
描述:12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET
温馨提示

请稍候...
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照