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NVGS5120PT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 6.75
25+
CNY 5.47
50+
CNY 4.82
100+
CNY 4.31
250+
CNY 3.89
500+
CNY 3.55
1000+
CNY 3.26
厂商: onsemi
库存件数: 21
货期: 现货
数量: 
-
  ×6.75 = 6.75
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):111
最大漏极电流Id(on)(A):-2.9
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150
描述:111mΩ,-60V,-2.9A,P沟道功率MOSFET
温馨提示

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