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BBS3002-DL-1E
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 42.46
25+
CNY 34.43
50+
CNY 30.33
100+
CNY 27.10
250+
CNY 24.50
500+
CNY 22.35
1000+
CNY 20.55
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×42.46 = 42.46
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.8
最大漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TO-263-3/-~150
描述:-60V,-100A,5.8mΩ,P沟道功率MOSFET
温馨提示

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