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FQU11P06TU
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 6.80
25+
CNY 5.51
50+
CNY 4.86
100+
CNY 4.34
250+
CNY 3.92
500+
CNY 3.58
1000+
CNY 3.29
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×6.80 = 6.80
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):185
最大漏极电流Id(on)(A):-9.4
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):IPAK-3/-55~150
描述:-60V,-9.4A,185mΩ,P沟道功率QFET MOSFET
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