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FDP8860
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 20.00
25+
CNY 16.22
50+
CNY 14.29
100+
CNY 12.77
250+
CNY 11.54
500+
CNY 10.53
1000+
CNY 9.68
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×20.00 = 20.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2.5
最大漏极电流Id(on)(A):80
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~175
描述:30V,80A,2.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
温馨提示

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