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FQPF8N80C
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 25.83
25+
CNY 20.94
50+
CNY 18.45
100+
CNY 16.49
250+
CNY 14.90
500+
CNY 13.59
1000+
CNY 12.50
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×25.83 = 25.83
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):800
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1550
最大漏极电流Id(on)(A):8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~150
描述:800V,8A,1.55Ω,N沟道MOSFET
温馨提示

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