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NVMFD5C470NT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 16.94
25+
CNY 13.73
50+
CNY 12.10
100+
CNY 10.81
250+
CNY 9.77
500+
CNY 8.92
1000+
CNY 8.20
厂商: onsemi
库存件数: 1400
货期: 现货
数量: 
-
  ×16.94 = 16.94
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.4
最大漏极电流Id(on)(A):36
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN-8/-55~175
描述:40V,36A,11.4mΩ,双N沟道功率MOSFET
温馨提示

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