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FCP20N60
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 52.35
25+
CNY 42.45
50+
CNY 37.39
100+
CNY 33.41
250+
CNY 30.20
500+
CNY 27.55
1000+
CNY 25.33
厂商: onsemi
库存件数: 4044
货期: 现货
数量: 
-
  ×52.35 = 52.35
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):190
最大漏极电流Id(on)(A):20
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~150
描述:600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET
温馨提示

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