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FQP5N60C
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 12.66
25+
CNY 10.27
50+
CNY 9.04
100+
CNY 8.08
250+
CNY 7.30
500+
CNY 6.66
1000+
CNY 6.13
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×12.66 = 12.66
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2500
最大漏极电流Id(on)(A):4.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~150
描述:600V,2500mΩ,4.5A,N通道功率MOSFET
温馨提示

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