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FCD850N80Z
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 17.07
25+
CNY 13.84
50+
CNY 12.19
100+
CNY 10.89
250+
CNY 9.85
500+
CNY 8.98
1000+
CNY 8.26
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×17.07 = 17.07
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):800
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):850
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~150
描述:800V,6A,850mΩ,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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