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FDMS86101
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 19.37
25+
CNY 15.71
50+
CNY 13.84
100+
CNY 12.37
250+
CNY 11.18
500+
CNY 10.20
1000+
CNY 9.37
厂商： onsemi
库存件数： 7140
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×19.37 = 19.37
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：8
最大漏极电流Id(on)(A)：60
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PQFN-8/-55~150
描述：100V,60A,8mΩ,N沟道功率MOSFET
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