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FDU5N60NZTU
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 9.60
25+
CNY 7.78
50+
CNY 6.86
100+
CNY 6.13
250+
CNY 5.54
500+
CNY 5.05
1000+
CNY 4.64
厂商： onsemi
库存件数： 5010
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×9.60 = 9.60
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：2000
最大漏极电流Id(on)(A)：4
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：IPAK-3/-55~150
描述：600V，4A，2Ω，N通道功率MOSFET
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