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IPD50N04S4L-08
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 3.06
25+
CNY 2.78
50+
CNY 2.64
100+
CNY 2.55
250+
CNY 2.36
500+
CNY 2.25
1000+
CNY 2.19
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×3.06 = 3.06
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：7.3
最大漏极电流Id(on)(A)：50
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-TO252-3/-55~175
描述：40V,7.3mΩ,50A,N沟道功率MOSFET
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