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NVMFS6H864NLT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 8.32
25+
CNY 6.75
50+
CNY 5.94
100+
CNY 5.31
250+
CNY 4.80
500+
CNY 4.38
1000+
CNY 4.03
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×8.32 = 8.32
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):29
最大漏极电流Id(on)(A):22
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN-5/-55~175
描述:80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET
温馨提示

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