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NVMFS3D6N10MCLT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 32.39
25+
CNY 26.26
50+
CNY 23.14
100+
CNY 20.67
250+
CNY 18.69
500+
CNY 17.05
1000+
CNY 15.67
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×32.39 = 32.39
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.6
最大漏极电流Id(on)(A):132
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN-5/-55~175
描述:100V,3.6mΩ,132A,N沟道功率MOSFET
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