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NTBG160N120SC1
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 89.89
25+
CNY 72.88
50+
CNY 64.21
100+
CNY 57.38
250+
CNY 51.86
500+
CNY 47.31
1000+
CNY 43.50
厂商: onsemi
库存件数: 3285
货期: 现货
数量: 
-
  ×89.89 = 89.89
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):160
最大漏极电流Id(on)(A):19.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK-7/-55~175
描述:1200V,160mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET
温馨提示

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