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NTHL160N120SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 92.16
25+
CNY 74.72
50+
CNY 65.83
100+
CNY 58.82
250+
CNY 53.17
500+
CNY 48.50
1000+
CNY 44.59
厂商： onsemi
库存件数： 10
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×92.16 = 92.16
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：224
最大漏极电流Id(on)(A)：17
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~175
描述：1200V,224mΩ, 17A,N沟道碳化硅MOSFET
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