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FCPF650N80Z
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 32.24
25+
CNY 26.14
50+
CNY 23.03
100+
CNY 20.58
250+
CNY 18.60
500+
CNY 16.97
1000+
CNY 15.60
厂商： onsemi
库存件数： 563
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×32.24 = 32.24
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：800
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：650
最大漏极电流Id(on)(A)：10
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~150
描述：800V，650mΩ，10A，N沟道功率MOSFET
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