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NTH4L160N120SC1
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 94.27
25+
CNY 76.43
50+
CNY 67.33
100+
CNY 60.17
250+
CNY 54.38
500+
CNY 49.61
1000+
CNY 45.61
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×94.27 = 94.27
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):224
最大漏极电流Id(on)(A):17.3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-247-4/-55~175
描述:1200V, 224mΩ,17.3A,N沟道碳化硅MOSFET
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