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NTMFS4H01NFT1G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 61.33
25+
CNY 49.73
50+
CNY 43.81
100+
CNY 39.15
250+
CNY 35.38
500+
CNY 32.28
1000+
CNY 29.68
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 暂无
数量: 
-
  ×61.33 = 61.33
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):0.7
最大漏极电流Id(on)(A):334
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN-5/-55~150
描述:25V,334A,0.7mΩ,单N沟道功率MOSFET,带肖特基二极管
温馨提示

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