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新一代深槽工艺 600V -700V 大功率超结 MOSFET CWSxxx 系列 SJ-MOSFET
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CWSxxx 系列 SJ-MOSFET（Super Junction MOSFET） 是一种高性能低功耗的新型 MOSFET 器件，采用独特的 Deep-Trench 工艺制造技术，导通电阻明显下降，高压应用时优势尤其突出，主要击穿电压范围：600-700V ，导通电阻覆盖 850-90mΩ 。
 
产品特点
新一代工艺：采用深槽（Deep-Trench）工艺
低内阻：特殊超结结构使得高压超结MOS的内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的 1/3-1/5
更高效率：较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通和开关损耗
低温升：较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命
驱动电流小：驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持
 
应用领域
适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器、智能手机、平板电脑充电器、大功率充电桩，通信电源以及工业电源等。
 
主要器件
产品型号 厂商 描述 资料 购买
CWS5N65ADR CW 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS7N65AF CW 650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS11N65AF CW 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS15N65AF CW 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS20N60AF CW 600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS24N60AF CW 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS24N60AZ CW 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
CWS60R090AZ CW 600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET 立即购买
 
示意图
 
 
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