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ST 碳化硅(SiC)MOSFET 系列产品
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在第七十五届联合国大会上习近平主席提出“中国将提高国家自主贡献力度,采取更加有力的政策和措施,二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值,努力争取2060年前实现碳中和”。国内要实现碳中和,需要发力的方向非常多。供给端扩大光伏发电、风电发电,需求端提升新能源车比例,输送端发力特高压。

意法半导体SiC MOSFET系列产品采用最先进的技术平台,实现优良的开关性能。可提供扩展到650V至1700V的电压范围(这一数值在不久的将来会更高),并且具有单位面积极低的导通电阻RDS(on) 和业界出色的品质因数(FoM)。配备了ST SiC MOSFET的系统,其卓越品质几乎可与传统硅技术相媲美。未来已来,SIC碳化硅产品将广泛用于光伏逆变器、新能源车功率器件,特高压基站等,助力广大客户设计出比以往更高效、紧凑型的系统。

 
应用框图
封装种类
 
特性
汽车级(AG)合格器件
超高温处理能力(max.TJ = 200 °C)
在温度范围内具有低导通电阻
易于驱动
稳定的超快速本体二极管
极低的开关损耗(随温度变化影响最小),允许工作在非常高的开关频率
 
应用
可再生能源电源供电
电源转换工业驱动
光伏高压逆变器
路灯充电站
高压电源
 
主要器件
产品型号 厂商 封装 资料  
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