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超级结功率 MOSFET — CWS20N65A 系列
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CWS20N65A系列是由力源信息旗下的全资子公司——力源半导体,推出的一款采用沟槽工艺的高压超结功率MOSFET,具备低导通电阻、低Qg、快速切换等特点,适用于高效小体积的应用场合,如PD快充、适配器,以及工业LED电源等专业领域。
 
封装信息
 
特性
低的导通电阻Rdson
低的栅极电荷Qg
优秀的雪崩性能
高开关速度,极低的损耗
最新的环保生产工艺,符合ROHS法规要求
 
应用
高性能适配器
PD快充
医疗电源
工业电源
高性能音响电源
智能家居
安防电源
LED户外照明电源
特殊定制电源等
 
主要器件
产品型号 漏极电流
ID(A)/Max
漏源耐压
VDSS(V)/Min
导通电阻
RDS(on)(Ω)/Typ
导通电阻
RDS(on)(Ω)/Max
栅极电阻
Rg(Ω)
栅极电荷
Rg(nC)
反向恢复时间
Trr(nS)
温度 封装
CWS20N65AC 20 650 0.17 0.19 5.3 37.1 350 -55℃~+125℃ TO-220C-3L
CWS20N65AP8R 20 650 0.17 0.19 5.3 37.1 350 -55℃~+125℃ PDFN8*8-4
CWS20N65AF 20 650 0.17 0.19 5.3 37.1 350 -55℃~+125℃ TO-220F-3L
CWS20N65AZ 20 650 0.17 0.19 5.3 37.1 350 -55℃~+125℃ TO-247-3L
 
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