SLH60R028E7是一款600V N沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，超结MOSFET导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。