力源芯城 - ON Semi 超场截止沟槽专利技术 IGBT NGTBxx 系列

ON Semi 超场截止沟槽专利技术 IGBT NGTBxx 系列

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安森美半导体推出 NGTB 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，采用安森美半导体公司专有的超场截止沟槽专利技术。耐压值分别为 600V、650V、1200V、1350V，导通电流分别为 4.5A、8.0A、10A、15A、20A、25A、30A、35A、45A、50A、60A、75A。设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。其中 1200V 器件能实现领先行业的总开关损耗 (Ets) 特点，显著提升的性能部分归因于极宽的高度触发的场截止层及优化的内部保护二极管。

应用领域

工业用电机、民用小容量电机、变换器 ( 逆变器 ) 、照相机的频闪观测器、电饭锅等领域。

选型表

器件型号	耐压典型值(V)	I_C Max(A)	封装类型	器件型号	耐压典型值(V)	I_C Max(A)	封装类型
NGTB50N60	600	50	TO-247	NGTB25N120	1200	25	TO-247
NGTB60N60	600	60	TO-247	NGTB30N120	1200	30	TO-247
NGTB75N60	600	75	TO-247	NGTB40N120	1200	40	TO-247
NGTB30N65	650	30	TO-247	NGTB15N135	1350	15	TO-247
NGTB35N65	650	35	TO-247	NGTB20N135	1350	20	TO-247

优势产品