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SAMSUNG,NAND FLASH存储器

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工作电压(V)位密度(bit)结构接口访问速度(ns)封装/温度(℃)
共查询到 16 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS工作电压(V)位密度(bit)结构接口访问速度(ns)封装/温度(℃)
K9F5608U0D-PIB0 Samsung 32Mx8 Bit , 16Mx16 Bit NAND FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 256M x 8 并口 50 TSOP-48/-40~85
K9F1208U0C-JIB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 512M x 8 并口 42 FBGA-63/-40~85
K9F1208U0C-PCB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 512M x 8 并口 42 TSOP-48/0~70
K9F1208U0C-PIB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 512M x 8 并口 42 TSOP-48/-40~85
K9F1G08U0B-PCB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 1G x 8 并口 25 TSOP-48/0~70
K9F1G08U0B-PIB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 1G x 8 并口 25 TSOP-48/-40~85
K9F1G08U0C-PCB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 1G x 8 并口 25 TSOP-48/0~70
K9F2G08U0B-PCB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 2G x 8 并口 25 TSOP-48/0~70
K9F2G08U0B-PIB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 2G x 8 并口 25 TSOP-48/-40~85
K9F4G08U0B-PCB0 Samsung FLASH存储器 暂无 暂无
2.7~3.6 4G x 8 并口 25 TSOP-48/0~70
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