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INFINEON,功率MOSFET

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源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
BSL314PEL6327XT Infineon Technologies -1.5A,-30V,双P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.79
25+CNY 1.62
50+CNY 1.54
100+CNY 1.49
250+CNY 1.37
500+CNY 1.31
1000+CNY 1.28


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-30 140 -1.5 P沟道 TSOP-6/-55~150
BSS316NL6327 Infineon Technologies 30V,1.4A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.68
25+CNY 0.62
50+CNY 0.59
100+CNY 0.57
250+CNY 0.52
500+CNY 0.50
1000+CNY 0.49


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30 160 1.4 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSR802NL6327 Infineon Technologies N沟道MOSFET 暂无
1+CNY 1.65
25+CNY 1.50
50+CNY 1.42
100+CNY 1.38
250+CNY 1.27
500+CNY 1.21
1000+CNY 1.18


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20 23 3.7 N沟道 SC-59-3/-55~150
BSR302NL6327 Infineon Technologies 30V,3.7A功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.63
25+CNY 1.48
50+CNY 1.40
100+CNY 1.35
250+CNY 1.25
500+CNY 1.19
1000+CNY 1.16


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30 23 3.7 N沟道 SC-59-3/-55~150
BSR315PL6327 Infineon Technologies -60V,-620MA功率MOSFET 暂无
1+CNY 2.22
25+CNY 2.00
50+CNY 1.82
100+CNY 1.74
250+CNY 1.60
500+CNY 1.54
1000+CNY 1.43


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-60 800 -0.62 P沟道 SC-59-3/-55~150
BSR316PL6327 Infineon Technologies P沟道MOSFET 暂无
1+CNY 1.87
25+CNY 1.70
50+CNY 1.62
100+CNY 1.56
250+CNY 1.44
500+CNY 1.38
1000+CNY 1.34


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-100 1.8 -360 P沟道 SOT-23-3/-55~150
BSL316CL6327 Infineon Technologies 30V/1.4A,-30V/-1.5A,N/P沟道组合功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.90
25+CNY 1.72
50+CNY 1.64
100+CNY 1.58
250+CNY 1.46
500+CNY 1.40
1000+CNY 1.36


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30/-30 160/150 1.4/-1.5 N/P沟道 TSOP-6/-55~150
SPP20N60C3 Infineon Technologies 600V,20.7A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 26.35
25+CNY 23.96
50+CNY 22.72
100+CNY 21.96
250+CNY 20.27
500+CNY 19.38
1000+CNY 18.82


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650 190 20.7 N沟道 SOT-220-3/-55~150
BSO080P03NS3EGXT Infineon Technologies -14.8A,-30V,P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.60
25+CNY 4.18
50+CNY 3.97
100+CNY 3.83
250+CNY 3.54
500+CNY 3.38
1000+CNY 3.29


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-30 8 -14.8 P沟道 DSOIC-8/-55~150
BSP295L6327XT Infineon Technologies 60V,1.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.84
25+CNY 1.84
50+CNY 1.84
100+CNY 1.84
250+CNY 1.84
500+CNY 1.84
1000+CNY 1.84


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60 300 1.8 N沟道 SOT-223-3/-55~150
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