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NXP,功率MOSFET

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通道极性漏源导通电阻rDS(on)(mΩ)漏源极击穿电压Vdss(V)连续漏极电流Id(on)(mA)门源电压典型值(V)@Id输入电容(pF)@Vds最大功耗(W)Qg(nc)@Vgs封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS通道极性漏源导通电阻rDS(on)(mΩ)漏源极击穿电压Vdss(V)连续漏极电流Id(on)(mA)门源电压典型值(V)@Id输入电容(pF)@Vds最大功耗(W)Qg(nc)@Vgs封装/温度(℃)
BSH103,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 暂无 暂无

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N 400 30 850 400m@1mA 83@24V 0.54 2.1nC@4.5V TO-236AB-3/-
BSH105,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 暂无 暂无

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N 200 20 1050 570m@1mA 152@16V 0.417 3.9nC@4.5V TO-236AB-3/-
BSH111,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 暂无 暂无

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N 4 55 335 1.3@1mA 40@10V 0.83 1nC@10V TO-236AB-3/-
BSH202,215 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 暂无 暂无

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P 900 30 520 1.9@1mA 80@24V 0.417 2.9nC@10V TO-236AB-3/-
BSH205,215 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23 暂无 暂无

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P 400 12 750 680m@1mA 200@9.6V 0.417 3.8nC@4.5V TO-236AB-3/-
BSN20,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 暂无 暂无

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N 15 50 173 1@1mA 25@10V 0.83 - TO-236AB-3/-
BSP130,115 NXP Semiconductors N沟道增强型垂直D-MOS晶体管 暂无 暂无

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N 6 300 350 2@1mA 120@25V 1.5 - SOT-223-3/-
BSS123,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 暂无
1+CNY 1.53
25+CNY 1.38
50+CNY 1.22
100+CNY 1.07
250+CNY 0.92
500+CNY 0.51
1000+CNY 0.42


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N 6000 100 150 2.8@1mA 40@25V 0.25 - TO-236AB-3/-
BSS84,215 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 暂无 暂无

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P 10 50 130 2@1mA 45@25V 0.25 - TO-236AB-3/-
BUK92150-55A,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 11A DPAK 暂无 暂无

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N 125 55 11000 2@1mA 338@25V 36 6nC@5V DPAK/-
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