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NXP,JFET结型场效应管

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通道极性漏源导通电阻rDS(on)(mΩ)漏源极击穿电压Vdss(V)连续漏极电流Id(on)(mA)门源电压典型值(V)@Id输入电容(pF)@Vds最大功耗(W)Qg(nc)@Vgs封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS通道极性漏源导通电阻rDS(on)(mΩ)漏源极击穿电压Vdss(V)连续漏极电流Id(on)(mA)门源电压典型值(V)@Id输入电容(pF)@Vds最大功耗(W)Qg(nc)@Vgs封装/温度(℃)
PMBF4392,215 NXP Semiconductors JFET N-CH 40V 25MA SOT23 暂无 暂无

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N - 40 25 2@1nA 14@20V - - TO-236AB-3/-65~150
PMBFJ620,115 NXP Semiconductors JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363 暂无 暂无

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N(双) 50 25 24 2@1uA 5@10V - - SOT-363-6/-65~150
BF545C,215 NXP Semiconductors JFET N-CHAN 30V SOT-23 暂无 暂无

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N(JFET) - 30 - - - - - TO-236AB-3/-65~150
PMBFJ177,215 NXP Semiconductors "PMBFJ177,215"30V 20mA,P沟道的JFET 暂无 暂无

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P 0.3 30 -20 2.25 4 - - SOT-23-3/-65~150
BFR31,215 NXP Semiconductors 25V,10mA,N沟道场效应晶体管 暂无 暂无

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N沟道 - 25 10 -25 4 0.25 - SOT-23-3/-~150
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