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INFINEON,N沟道小信号MOSFET

智能过滤器(符合过滤条件的产品共70个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 70 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
BSS670S2LH6327 Infineon Technologies 55V,540MA,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.54
25+CNY 0.49
50+CNY 0.47
100+CNY 0.45
250+CNY 0.42
500+CNY 0.40
1000+CNY 0.39


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55 650 0.54 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSS138NH6327 Infineon Technologies 60V,230MA,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.51
25+CNY 0.47
50+CNY 0.44
100+CNY 0.43
250+CNY 0.39
500+CNY 0.38
1000+CNY 0.37


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60 3500 0.23 N沟道 SOT-23-3/-55~150
SN7002NL6327 Infineon Technologies 60V,200MA,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.18
25+CNY 0.18
50+CNY 0.18
100+CNY 0.18
250+CNY 0.18
500+CNY 0.18
1000+CNY 0.18


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60 5000 0.2 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSP125L6327 Infineon Technologies 600V,120MA,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.38
25+CNY 3.98
50+CNY 3.78
100+CNY 3.65
250+CNY 3.37
500+CNY 3.22
1000+CNY 3.13


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600 45000 0.12 N沟道 SOT-223-3/-55~150
BSR202NL6327 Infineon Technologies 20V,3.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.60
25+CNY 1.46
50+CNY 1.38
100+CNY 1.33
250+CNY 1.23
500+CNY 1.18
1000+CNY 1.14


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20 - 3.8 N沟道 SC-59-3/-55~150
BSP320SL6327 Infineon Technologies 60V,2.9A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 2.80
25+CNY 2.55
50+CNY 2.42
100+CNY 2.34
250+CNY 2.16
500+CNY 2.06
1000+CNY 2.00


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60 120 2.9 N沟道 SOT-223-3/-55~150
BSO615NG Infineon Technologies 60V,2.6A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.81
25+CNY 4.37
50+CNY 4.14
100+CNY 4.00
250+CNY 3.70
500+CNY 3.53
1000+CNY 3.43


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60 - 2.6 N沟道 SOIC-8/-55~150
BSS205NH6327 Infineon Technologies 20V,2.5A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.69
25+CNY 0.63
50+CNY 0.60
100+CNY 0.58
250+CNY 0.53
500+CNY 0.51
1000+CNY 0.50


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20 - 2.5 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSP373L6327 Infineon Technologies 100V,1.7A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.09
25+CNY 2.81
50+CNY 2.66
100+CNY 2.57
250+CNY 2.37
500+CNY 2.27
1000+CNY 2.20


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100 300 1.7 N沟道 SOT-223-3/-55~150
BSP296L6327 Infineon Technologies 100V,1.1A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 1.99
25+CNY 1.81
50+CNY 1.72
100+CNY 1.66
250+CNY 1.53
500+CNY 1.47
1000+CNY 1.42


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100 700 1.1 N沟道 SOT-223-3/-55~150
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