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INFINEON,N沟道MOSFET(20V—250V)

智能过滤器(符合过滤条件的产品共433个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 433 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
BSC032NE2LS
(老批次折让销售)
Infineon Technologies 25V,3.2mΩ,84A,N沟道功率MOSFET 4957
(武汉库存)
1+CNY 2.89
25+CNY 2.58
50+CNY 2.47
100+CNY 2.35
250+CNY 2.27
500+CNY 2.16
1000+CNY 2.04


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25 3.2 84 N沟道 PG-TDSON-8/-55~150
BSC014N04LS
(老批次折让销售)
Infineon Technologies 40V,100A,N沟道功率MOSFET 5
(武汉库存)
1+CNY 6.92
25+CNY 6.16
50+CNY 5.92
100+CNY 5.62
250+CNY 5.42
500+CNY 5.17
1000+CNY 4.89


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40 1.4 100 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC042N03LSG Infineon Technologies 30V,93A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.18
25+CNY 3.80
50+CNY 3.61
100+CNY 3.49
250+CNY 3.22
500+CNY 3.08
1000+CNY 2.99


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30 4.2 93 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC042N03MSG Infineon Technologies 30V,93A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.20
25+CNY 3.82
50+CNY 3.62
100+CNY 3.50
250+CNY 3.23
500+CNY 3.09
1000+CNY 3.00


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30 4.2 93 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC046N02KSG Infineon Technologies 20V,80A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 7.70
25+CNY 6.93
50+CNY 6.30
100+CNY 6.03
250+CNY 5.54
500+CNY 5.33
1000+CNY 4.95


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20 - 80 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC050N03LSG Infineon Technologies 30V,79A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.40
25+CNY 3.09
50+CNY 2.93
100+CNY 2.83
250+CNY 2.62
500+CNY 2.50
1000+CNY 2.43


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30 5 79 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC050N04LSG Infineon Technologies 40V,85A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.98
25+CNY 3.62
50+CNY 3.43
100+CNY 3.32
250+CNY 3.06
500+CNY 2.93
1000+CNY 2.85


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40 5 85 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC057N03LSG Infineon Technologies 30V,71A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.59
25+CNY 3.26
50+CNY 3.09
100+CNY 2.99
250+CNY 2.76
500+CNY 2.64
1000+CNY 2.56


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30 5.7 71 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC054N04NSG Infineon Technologies 40V,81A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.52
25+CNY 3.20
50+CNY 3.03
100+CNY 2.93
250+CNY 2.71
500+CNY 2.59
1000+CNY 2.51


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40 5.4 81 N沟道 TDSON-8/-55~150
BSC050NE2LS Infineon Technologies 25V,58A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.59
25+CNY 3.26
50+CNY 3.09
100+CNY 2.99
250+CNY 2.76
500+CNY 2.64
1000+CNY 2.56


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25 5 58 N沟道 TDSON-8/-55~150
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