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INFINEON,N沟道MOSFET(500V—900V)

智能过滤器(符合过滤条件的产品共367个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装
共查询到 367 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装
IPW60R125C6
(老批次折让销售)
Infineon Technologies 600V,30A,N沟道功率MOSFET 5
(武汉库存)
1+CNY 19.33
25+CNY 17.21
50+CNY 16.53
100+CNY 15.71
250+CNY 15.14
500+CNY 14.44
1000+CNY 13.66


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600 125 30 N沟道 TO-247-3
IPP60R125CP Infineon Technologies 600V,25A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 33.49
25+CNY 30.44
50+CNY 28.87
100+CNY 27.91
250+CNY 25.76
500+CNY 24.62
1000+CNY 23.92


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600 125 25 N沟道 TO-220-3
IPA60R125CP Infineon Technologies 600V,25A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 33.48
25+CNY 30.44
50+CNY 28.86
100+CNY 27.90
250+CNY 25.76
500+CNY 24.62
1000+CNY 23.92


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600 125 25 N沟道 TO-220FP-3
SPW24N60C3 Infineon Technologies 600V,24.3A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 30.30
25+CNY 27.55
50+CNY 26.58
100+CNY 26.12
250+CNY 25.25
500+CNY 24.44
1000+CNY 23.31


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600 160 24.3 N沟道 TO-247-3
SPP24N60C3 Infineon Technologies 600V,24.3A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 31.00
25+CNY 28.19
50+CNY 26.73
100+CNY 25.84
250+CNY 23.85
500+CNY 22.80
1000+CNY 22.15


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600 160 24.3 N沟道 TO-220-3
IPB60R160C6 Infineon Technologies 600V,23.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 19.32
25+CNY 17.56
50+CNY 16.65
100+CNY 16.10
250+CNY 14.86
500+CNY 14.20
1000+CNY 13.80


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600 160 23.8 N沟道 D2PAK-4
IPP60R160C6 Infineon Technologies 600V,23.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 19.32
25+CNY 17.56
50+CNY 16.65
100+CNY 16.10
250+CNY 14.86
500+CNY 14.20
1000+CNY 13.80


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600 160 23.8 N沟道 TO-220-3
IPA60R160C6 Infineon Technologies 600V,23.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 29.24
25+CNY 26.32
50+CNY 23.92
100+CNY 22.88
250+CNY 21.05
500+CNY 20.24
1000+CNY 18.80


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600 160 23.8 N沟道 TO-220FP-3
IPW60R160C6 Infineon Technologies 600V,23.8A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 23.72
25+CNY 21.56
50+CNY 20.45
100+CNY 19.77
250+CNY 18.24
500+CNY 17.44
1000+CNY 16.94


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600 160 23.8 N沟道 TO-247-3
IPW50R140CP Infineon Technologies 500V,23A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 28.84
25+CNY 26.22
50+CNY 24.86
100+CNY 24.03
250+CNY 22.19
500+CNY 21.21
1000+CNY 20.60


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500 140 23 N沟道 TO-247-3
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