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INFINEON,N沟道损耗型MOSFET

智能过滤器(符合过滤条件的产品共5个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 5 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
BSP129L6327 Infineon Technologies 240V,350MA,N沟道功率MOSFET 1
(武汉库存)
1+CNY 1.28
25+CNY 1.16
50+CNY 1.10
100+CNY 1.07
250+CNY 0.99
500+CNY 0.94
1000+CNY 0.91


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240 6000 0.05 N沟道 SOT-223-3/-55~150
BSS159NL6327 Infineon Technologies 60V,0.13A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.92
25+CNY 0.92
50+CNY 0.92
100+CNY 0.92
250+CNY 0.92
500+CNY 0.92
1000+CNY 0.92


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60 8000 0.13 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSS159NH6327 Infineon Technologies 60V,0.13A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 0.98
25+CNY 0.89
50+CNY 0.84
100+CNY 0.82
250+CNY 0.75
500+CNY 0.72
1000+CNY 0.70


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60 8000 0.13 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSS169H6327 Infineon Technologies 100V,0.09A,N沟道功率MOSFET 319
(武汉库存)
1+CNY 1.92
25+CNY 1.75
50+CNY 1.66
100+CNY 1.60
250+CNY 1.48
500+CNY 1.41
1000+CNY 1.37


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100 12000 0.09 N沟道 SOT-23-3/-55~150
BSP149L6327 Infineon Technologies 200V,0.66A,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 5.33
25+CNY 4.80
50+CNY 4.36
100+CNY 4.17
250+CNY 3.84
500+CNY 3.69
1000+CNY 3.43


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200 3500 0.14 N沟道 SOT-223-3/-55~150
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