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ST,IGBT

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集电极-发射集电压VCES(V)集电极电流IC(A)总功耗PD(W)封装/温度(℃)
共查询到 62 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS集电极-发射集电压VCES(V)集电极电流IC(A)总功耗PD(W)封装/温度(℃)
STGWA40H120DF2 STMicroelectronics 沟槽栅极场截止IGBT,1200V,40A 32
(武汉库存)
1+CNY 20.00
25+CNY 20.00
50+CNY 20.00
100+CNY 20.00
250+CNY 20.00
500+CNY 20.00
1000+CNY 20.00


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1200 40 468 TO-247-3/-55~150
STGB10M65DF2 STMicroelectronics IGBT, 650V, 10A 暂无
1+CNY 6.00
25+CNY 6.00
50+CNY 6.00
100+CNY 6.00
250+CNY 6.00
500+CNY 6.00
1000+CNY 6.00


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650 10 115 D2PAK-3/-55~150
STGWA40H65DFB STMicroelectronics IGBT,650V, 40A 暂无
1+CNY 11.00
25+CNY 11.00
50+CNY 11.00
100+CNY 11.00
250+CNY 11.00
500+CNY 11.00
1000+CNY 11.00


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650 40 283 TO-247-3/-55~150
STGB20M65DF2 STMicroelectronics 沟槽栅场截止IGBT,M系列,650V、20A,低损耗 暂无
1+CNY 40.79
25+CNY 27.19
50+CNY 20.39
100+CNY 13.60
250+CNY 12.92
500+CNY 12.58
1000+CNY 12.24


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650 20 166 D2PAK-3/-55~150
STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics IGBT,650V, 40A 暂无
1+CNY 13.79
25+CNY 13.79
50+CNY 13.79
100+CNY 13.79
250+CNY 13.79
500+CNY 13.79
1000+CNY 13.79


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650 40 230 TO-247-3/-55~150
STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics 20A,600V短路坚固型IGBT 暂无
1+CNY 40.59
25+CNY 27.06
50+CNY 20.30
100+CNY 13.53
250+CNY 12.85
500+CNY 12.52
1000+CNY 12.18


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600 20 125 D2PAK-3/-55~150
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics 沟槽式门极场截止IGBT,H系列,1200V,25A 暂无
1+CNY 18.97
25+CNY 18.97
50+CNY 18.97
100+CNY 18.97
250+CNY 18.97
500+CNY 18.97
1000+CNY 18.97


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1200 25 375 TO-247-3/-55~175
STGFW30HP65FB2 STMicroelectronics IGBT 暂无
1+CNY 35.86
25+CNY 23.90
50+CNY 17.93
100+CNY 11.95
250+CNY 11.35
500+CNY 11.06
1000+CNY 10.76


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650 30 -
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics IGBT,1200V,25A,M系列 暂无
1+CNY 106.82
25+CNY 71.21
50+CNY 53.41
100+CNY 35.61
250+CNY 33.83
500+CNY 32.94
1000+CNY 32.05


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1200 25 375 TO-247-3/-55~150
STGP20M65DF2 STMicroelectronics 650V,40A,M系列低损耗 IGBT 暂无
1+CNY 40.79
25+CNY 27.19
50+CNY 20.39
100+CNY 13.60
250+CNY 12.92
500+CNY 12.58
1000+CNY 12.24


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650 40 166 TO-220-3/-55~175
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