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ISSI,异步SRAM

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工作电压(V)位密度(bit)接口访问速度(ns)封装/温度(℃)
共查询到 5 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS工作电压(V)位密度(bit)接口访问速度(ns)封装/温度(℃)
IS61LV5128AL-10TLI ISSI 512K×8高速CMOS SRAM,10ns 暂无 暂无
3.3 512K(x 8) - 10 TSOP-44/-40~85
IS66WVE4M16BLL-70BLI ISSI 64Mbit,70ns,异步SRAM 暂无 暂无
2.7~3.6 64M(x 16) 并联 70 TFBGA-48/-40~85
IS61WV51216BLL-10TLI ISSI 512Kx16异步SRAM 暂无 暂无
2.4~3.6 512K 并口 10 TSOP-44/-40~85
IS61WV25616EDBLL-10TLI ISSI 带ECCD的256Kx16高速度CMOS异步SRAM 暂无 暂无
2.4~3.6 256K(x 16) 并联 10 TSOP-44/-40~85
IS61WV51216EDBLL-10TLI ISSI 512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECC 暂无
1+CNY 240.00
100+CNY 192.00
1000+CNY 96.00

2.4~3.6 256K(x 16) 并联 10 TSOP(Type II)-44/-40~85
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