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VISHAY,功率MOSFET

智能过滤器(符合过滤条件的产品共349个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 349 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
SIHLL110TR-GE3 Vishay 100V,76mΩ,1.5A,N沟道功率MOSFET 22500
(武汉库存)
1+CNY 6.92
25+CNY 4.15
50+CNY 2.77
100+CNY 2.49
250+CNY 2.08
500+CNY 1.80
1000+CNY 1.66


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100 76 1.5 N沟道 SOT-223-3/-55~150
IRFPG50PBF Vishay N-沟道 MOSFET 6000
(武汉库存)
1+CNY 138.87
25+CNY 92.58
50+CNY 69.43
100+CNY 46.29
250+CNY 43.97
500+CNY 42.82
1000+CNY 41.66


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1000 2000 6.1 N沟道 TO-247A-3/-55~150
SIR182DP-T1-RE3 Vishay 60V,2.8mΩ,60A,P沟道MOSFET 3000
(武汉库存)
1+CNY 14.81
25+CNY 8.88
50+CNY 5.92
100+CNY 5.33
250+CNY 4.44
500+CNY 3.85
1000+CNY 3.55


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60 2.8 60 P沟道 PowerPAK SO-8/-55~150
IRFD120PBF Vishay 100V,270mΩ,1.3A,N沟道功率MOSFET 671
(武汉库存)
暂无

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100 270 1.3 N沟道 HVMDIP-4/-55~175
SQJA36EP-T1_GE3 Vishay 汽车N沟道40 V(D-S)175°C MOSFET 暂无 暂无

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40 1.24 350 N沟道 PowerPAK SO-8L/-55~175
SI7465DP-T1-GE3 Vishay 64mΩ,-60V,-3.2A,P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 20.62
25+CNY 16.50
50+CNY 12.37
100+CNY 8.25
250+CNY 7.84
500+CNY 7.63
1000+CNY 7.42


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-60 64 -3.2 P沟道 PowerPAK-SO-8/-55~150
SI7461DP-T1-GE3 Vishay 14.5mΩ,-60V,-14.4A,P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 51.35
25+CNY 41.08
50+CNY 30.81
100+CNY 20.54
250+CNY 19.51
500+CNY 19.00
1000+CNY 18.49


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-60 14.5 -14.4 P沟道 PowerPAK SO-8/-55~150
Si4101DY-T1-GE3 Vishay 6mΩ,-30V,-25.7A,P沟道功率MOSFET 暂无 暂无

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-30 6 -25.7 P沟道 SO-8/-55~150
SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay 60V,7A,42mΩ,N沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 12.10
25+CNY 9.68
50+CNY 7.26
100+CNY 4.84
250+CNY 4.60
500+CNY 4.48
1000+CNY 4.36


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60 42 7 N沟道 TSOP-6/-55~175
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay 95mΩ,-60V,-5.3A,汽车级P沟道MOSFET 暂无
1+CNY 924.00
25+CNY 739.00
50+CNY 554.00
100+CNY 370.00
250+CNY 351.00
500+CNY 342.00
1000+CNY 333.00


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-60 95 -5.3 P沟道 TSOP-6/-55~175
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