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Samsung

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位密度(bit)结构工作电压(V)速度(Mbps)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS位密度(bit)结构工作电压(V)速度(Mbps)封装/温度(℃)
K4X51163PI-FGC6 Samsung 512Mb,166Mbps,移动DRAM 暂无 暂无
512M 32Mb x 16 1.8 166 FBGA-60/-25~85
K4T1G164QF-BCF7 Samsung 1Gb (64M x 16) DDR2 SDRAM 暂无
1+CNY 81.00
100+CNY 64.80
1000+CNY 32.40

1G 64M x 16 1.7~1.9 400 FBGA-84/0~95
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