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INFINEON,汽车MOSFET

智能过滤器(符合过滤条件的产品共12个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 12 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies 30V,180A,0.95mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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30 0.95 180 N沟道 TO-263-7/-55~175
IPB180N04S4-01 Infineon Technologies 40V,180A,1.3mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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40 1.3 180 N沟道 TO-263-7/-55~175
IPB180N08S4-02 Infineon Technologies 80V,180A,2.2mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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80 2.2 180 N沟道 TO-263-7/-55~175
IPB180N10S4-02 Infineon Technologies 100V,180A,2.5mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无
1+CNY 34.99
25+CNY 31.81
50+CNY 30.16
100+CNY 29.16
250+CNY 26.91
500+CNY 25.73
1000+CNY 24.99


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100 2.5 180 N沟道 TO-263-7/-55~175
IPD90N04S4-05 Infineon Technologies 40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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40 5.2 90 N沟道 TO-252-3/-55~175
IPD90P03P4L-04 Infineon Technologies -30V,-90A,4.5mΩ,P沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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-30 4.5 -90 P沟道 TO-252-3/-55~175
IPD90P04P4-05 Infineon Technologies -40V,-90A,4.7mΩ,P沟道汽车MOSFET 暂无
1+CNY 8.12
25+CNY 7.38
50+CNY 7.00
100+CNY 6.77
250+CNY 6.25
500+CNY 5.97
1000+CNY 5.80


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-40 4.7 -90 P沟道 TO-252-3/-55~175
IPG20N06S2L-65 Infineon Technologies 55V,20A,65mΩ,双N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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55 65 20 双N沟道 TDSON-8/-55~175
IPG20N06S4L-26 Infineon Technologies 60V,20A,26mΩ,双N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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60 26 20 双N沟道 TDSON-8/-55~175
IPP80N06S2-H5 Infineon Technologies 55V,80A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFET 暂无 暂无

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55 5.2 80 N沟道 TO-220-3/-55~175
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